Posgrado en Dispositivos Semiconductores de la BUAP celebra cuatro décadas de trabajo científico

El Posgrado en Dispositivos Semiconductores del Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores (CIDS) del Instituto de Ciencias de la BUAP (ICUAP) celebra más de cuatro décadas como un pilar fundamental en la formación de profesionistas de alto nivel y un impulsor clave del desarrollo científico y tecnológico en México. Su trayectoria lo consolida como un referente en la investigación y aplicación de la ciencia de materiales en el país.

Formación de Élite con Cuatro Décadas de Historia

El programa de Maestría en Dispositivos Semiconductores, aprobado en 1985 e iniciado en 1986, cumple 40 años de una incansable labor académica. Con 55 generaciones egresadas y 198 alumnos titulados, este programa se incorporó al Padrón de Excelencia del Conacyt en 1988, un testimonio de su calidad desde sus inicios. Por su parte, el Doctorado en Dispositivos Semiconductores, iniciado en 2006, ha formado a 84 doctores en 37 generaciones, especializados en la caracterización de materiales, diseño de circuitos integrados e investigación que sustenta dispositivos electrónicos de uso cotidiano.

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La maestría cumple 40 años y el doctorado 20; pertenecen al Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores del ICUAP 

Logros Tecnológicos que Han Marcado la Diferencia

La historia del CIDS y su posgrado está jalonada por proyectos de investigación y desarrollos tecnológicos tangibles que han impactado diversos sectores:

  • Década de 1980: Desarrollo de un electro-estimulador funcional para rehabilitación, un estimulador de campo magnético para fracturas y un oxigenador de sangre.
  • 1992: Fabricación del primer láser semiconductor de arseniuro de galio en el centro, junto con prototipos de laringe electrónicamarcapasos externo y tecnología para circuitos integrados.
  • 2005-2006: Obtención de silicio poroso, diseño de un panel fotovoltaico de concentración solar, simulación de dispositivos microelectromecánicos (MEMS) y creación de un diodo electroluminiscente.
  • 2024: Obtención de dos títulos de patente para los proyectos “Sistema para síntesis de películas fotoluminiscentes oxicarburos de silicio” y “Microcavidades en el UV basadas en silicio poroso”.

Vinculación Nacional y Futuro Prometedor

El CIDS mantiene una firme vinculación con la comunidad científica nacional. En 2023, se integró al proyecto “Innovación y desarrollo de prototipos de módulos fotovoltaicos” del Laboratorio Nacional LIFYCS de la UNAM, demostrando su capacidad para colaborar en iniciativas de gran envergadura.

Con una historia que se remonta a 1976 como Laboratorio de Semiconductores, el CIDS-BUAP y sus posgrado  han sido semillero de innovación y talento. Sus cuatro décadas de contribuciones en formación de recursos humanos y desarrollo tecnológico lo confirman como un actor indispensable en el ecosistema de ciencia y tecnología de México, con una proyección sólida hacia el futuro.

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